Подсубпозиция ТН ВЭД 8486 20 900 2
Машины и аппаратура для производства полупроводниковых приборов или электронных интегральных схем для сухого травления рисунка на полупроводниковых материалах
- Дата
регистр. Регистрационный номер
и продукция Производитель / Заявитель - 21 Авг '26
RU Д-CN.РА07.А.40945/26
Установка обработки пластин в кислородной плазме, модель md-2300ТН ВЭД 8486 20 900 2
РЕГЛАМЕНТ 004/2011 • 020/2011
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ GUANGZHOU MINDER-HIGHTECH CO., LTDЗАЯВИТЕЛЬ ООО «ТЕРРАМАК» - 23 Мар '26
RU Д-US.РА02.В.75391/26
Промышленная полупроводниковая специализированная установка-система химического осаждения/нанесения тонких металлических и диэлектрических пленок методом химического осаждения из газовой фазы на поверхность кремниевых пластин диаметром 300 мм (12 дюймов) модель «altus c3 wcvd», торговая марка «novellus»ТН ВЭД 8486 20 900 3 • 8486 20 900 2 • 8486 30 100 0 • 8486 30 300 0 • 8486 30 500 0 • 8486 20 900 5 • 8486 20 900 9
РЕГЛАМЕНТ 004/2011 • 020/2011
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ LAM RESEARCH CORPORATIONЗАЯВИТЕЛЬ ООО «ЭЛКОМ» - 24 Дек '25
RU Д-US.РА11.В.99912/25
Промышленная полупроводниковая специализированная двухкамерная становка-система химического осаждения вольфрама методом химического осаждения из газовой фазы (cvd-w) на кремниевые пластины диаметром 200 мм, тип tungsten cvd system ,модель concept two altus-s (shrink), торговая марка «lam»ТН ВЭД 8486 20 900 5 • 8486 20 900 9 • 8486 20 900 2 • 8486 20 900 3
РЕГЛАМЕНТ 004/2011 • 020/2011
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ LAM RESEARCH CORPORATIONЗАЯВИТЕЛЬ ООО «ЭЛКОМ» - 23 Дек '25
RU Д-US.РА11.В.95993/25
Промышленная полупроводниковая установка плазменного травления кремния 300 мм, модель lam 2300 exelan flex 45, торговая марка «lam».ТН ВЭД 8486 20 900 2
РЕГЛАМЕНТ 004/2011 • 020/2011
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ LAM RESEARCH CORPORATIONЗАЯВИТЕЛЬ ООО «ЭЛКОМ» - 28 Авг '25
RU Д-CN.РА07.В.53340/25
Установка плазменной обработки печатных плат,ТН ВЭД 8486 20 900 2
РЕГЛАМЕНТ 004/2011 • 020/2011
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ ZHUHAI ADVANCED - TECH CO., LTDЗАЯВИТЕЛЬ ООО «ОСТЕК-СТ» - 28 Июл '25
RU Д-RU.РА06.В.37554/25
Система травления диэлектрических материалов на основе оксида кремния в микроволновой плазме, установка микроволнового плазмохимического травления:ТН ВЭД 8486 20 900 2
РЕГЛАМЕНТ 004/2011 • 020/2011
ПРОИЗВ./ЗАЯВ. ООО «СИДМЭЛ» - 25 Июл '25
RU Д-CN.РА06.В.35642/25
Оборудование электротехническое промышленного применения:ТН ВЭД 8486 20 900 2
РЕГЛАМЕНТ 004/2011 • 020/2011
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ TRIBRICKS TECHNOLOGY CO., LTD.ЗАЯВИТЕЛЬ ООО «ЭМИНЕНТ ИНТ» - 13 Дек '24
RU Д-HK.РА11.А.46799/24
Высокопроизводительная вакуумная установка травления слоев si3n4, poly-si, модель ap-systems hpe-100d, артикул 4 inch wafer si3n4&poly-si – 1 штука; высокопроизводительная вакуумная установка травления слоев siо2, модель ap-systems hpe-100d, артикул 4 inch wafer sio2 – 1 штукаТН ВЭД 8486 20 900 2
РЕГЛАМЕНТ 004/2011 • 020/2011
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ SOLIDARITY TRADING LIMITEDЗАЯВИТЕЛЬ ООО «ЭЛФЭКТ» - 11 Дек '24
ВП RU Д-CN.РА02.А.04373/24
Установка плазменного травления полимеров (система реактивного ионного травления) с модулем «load-lock», ne-icp-801ТН ВЭД 8486 20 900 2
РЕГЛАМЕНТ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ SHENZHEN NAEN TECH CO., LTD.ЗАЯВИТЕЛЬ ООО «МАППЕР» - 11 Ноя '24
RU Д-TW.РА10.А.33844/24
Установка травления диэлектриковТН ВЭД 8486 20 900 2
РЕГЛАМЕНТ 004/2011 • 020/2011
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ SYSKEY TECHNOLOGY CO., LTD.ЗАЯВИТЕЛЬ ООО «АСПЕКТРИУМ»