О продукции

Промышленная полупроводниковая специализированная двухкамерная становка-система химического осаждения вольфрама методом химического осаждения из газовой фазы (cvd-w) на кремниевые пластины диаметром 200 мм, тип tungsten cvd system ,модель concept two altus-s (shrink), торговая марка «lam»

Условия хранения

Дата изготовления, срок годности, условия хранения указаны в прилагаемой к продукции товаросопроводительной документации и/или на упаковке и/или каждой единице продукции.


О документе

Дата регистрации

24 декабря 2025

Дата завершения

23 декабря 2030

Статус

Действует

Тип объекта

Серийный выпуск

Схема

Регламенты

ТН ВЭД

  • 8486 20 900 2 Машины и аппаратура для производства полупроводниковых приборов или электронных интегральных схем для сухого травления рисунка на полупроводниковых материалах
  • 8486 20 900 3 Машины и аппаратура для производства полупроводниковых приборов или электронных интегральных схем установки для удаления фоторезиста или очистки полупроводниковых пластин
  • 8486 20 900 5 Машины и аппаратура для производства п/п приборов или электронных интегр. схем: аппаратура для проецирования или нанесения рисунка маски на сенсибилизированные п/п материалы
  • 8486 20 900 9 Машины и аппаратура для производства п/п приборов или электронных интегр. схем, прочие

Группы продукции

  • ЕАЭС Технические средства, не включенные в Перечень продукции, подлежащей сертификации к ТР ТС 020/2011
  • ЕАЭС Низковольтное оборудование, не включенное в Перечень продукции, подлежащей сертификации к ТР ТС 004/2011

Производитель

Полное название

LAM RESEARCH CORPORATION

Страна

Соединенные Штаты

Адрес

Соединенные Штаты, 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538 United States


Заявитель

Полное название

ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ЭЛЕКТРОН-КОМПЛЕКТ"

Страна

Россия

Адрес

117546, г Москва, Бирюлево Западное р-н, Харьковский проезд, д 2, помещ 184

Должность

ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР

Руководитель

Хворостовский Александр Викторович


Лаборатории

Полное название

LAM RESEARCH CORPORATION